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Zum Mechanismus der Oxidation organischer Moleküle durch Defektelektronen an Halbleiteroberflächen
Author(s) -
Gerischer Heinz,
Rösler Heinz
Publication year - 1970
Publication title -
chemie ingenieur technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.365
H-Index - 36
eISSN - 1522-2640
pISSN - 0009-286X
DOI - 10.1002/cite.330420405
Subject(s) - chemistry , medicinal chemistry
Abstract Die Oxidation von Carbonsäuren, Alkoholen, Aldehyden u. ä. organischen Verbindungen ist auf elektrochemischem Wege meist nur an katalytisch aktiven Elektroden mit metallischem Leitungscharakter möglich. An belichteten Halbleitern mit großer Bandlücke hat sich durch die Erzeugung energiereicher Defektelektronen eine andere Möglichkeit für solche Oxidationen ergeben. Ein besonderer Reaktionsablauf führt zu einer Erhöhung der Quantenausbeute für den Strom durch zusätzliche Injektion von Leitungselektronen, wie mit verschiedenen organischen Substanzen beobachtet werden kann. Die in Frage kommenden Mechanismen werden diskutiert.

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