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Substitutionsreaktionen an Galliumhalogeniden mit Silylsulfiden
Author(s) -
Hoffmann Gerhard G.
Publication year - 1983
Publication title -
chemische berichte
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.667
H-Index - 136
eISSN - 1099-0682
pISSN - 0009-2940
DOI - 10.1002/cber.19831161209
Subject(s) - chemistry , medicinal chemistry
Die Galliumhalogenide GaCl 3 , GaBr 3 und GaI 3 ( 1 , 2 und 3 ) reagieren mit den Silylsulfiden (CH 3 ) 3 SiSCH 3 , (CH 3 ) 3 SiSC 2 H 5 ( 4 , 5 und 6 ) in Benzol unter Bildung der extrem feuchtigkeitsempfindlichen Mono‐, Bis‐ und Tris(alkyl‐ bzw. phenylthio)gallane 7 – 22 . Spektroskopische Daten sowie einige physikalische und chemische Eigenschaften der neuen Verbindungen werden mitgeteilt. Der mögliche Bildungsmechanismus und ein interessantes strukturelles Phänomen der Diiod(alkylthio)gallane 12 , 13 werden diskutiert.
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