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Heterosiloxane des Galliums und Indiums
Author(s) -
Schmidbaur Hubert,
Schindler Fritz
Publication year - 1966
Publication title -
chemische berichte
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.667
H-Index - 136
eISSN - 1099-0682
pISSN - 0009-2940
DOI - 10.1002/cber.19660990716
Subject(s) - chemistry , medicinal chemistry , trimethylindium , trimethylgallium , organic chemistry , metalorganic vapour phase epitaxy , epitaxy , layer (electronics)
Die Reaktionen von Trimethylgallium‐ und Trimethylindium‐ätherat mit Trimethyl‐ und Triphenylsilanol führen unter Methan‐Entwicklung und Freisetzung des koordinativ gebundenen äthers zu den Pentaorganogallo‐ bzw. ‐indo‐siloxanen [(CH 3 ) 3 SiOGa(CH 3 ) 2 ] 2 , [(CH 3 ) 3 SiOIn(CH 3 ) 2 ] 2 , [(C 6 H 5 ) 3 SiOGa(CH 3 ) 2 ] 2 und [(C 6 H 5 ) 3 SiOIn(CH 3 ) 2 ] 2 . In gleicher Weise lassen sich auch die beiden Alumosiloxane [(CH 3 ) 3 SiOAl(CH 3 ) 2 ] 2 und [(C 6 H 5 ) 3 SiOAl(CH 3 ) 2 ] 2 synthetisieren. Anstelle von (CH 3 ) 3 SiOH kann auch tert.‐Butylalkohol eingesetzt werden, wobei die C ‐Analoga [(CH 3 ) 3 COAl(CH 3 ) 2 ] 2 und [(CH 3 ) 3 COGa(CH 3 ) 2 ] 2 bzw. [(CH 3 ) 3 COIn(CH 3 ) 2 ] 2 erhalten werden. Alle Verbindungen sind stabile Koordinations dimere und enthalten die viergliedrigen Metall‐Sauerstoff‐RingsystemeDie physikalischen Eigenschaften sowie die IR‐ und NMR‐Spektren der Verbindungen werden beschrieben und vergleichend diskutiert.