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“Überschuss”‐Elektronen in LuGe
Author(s) -
Freccero Riccardo,
Hübner JuliaMaria,
Prots Yurii,
Schnelle Walter,
Schmidt Markus,
Wagner Frank R.,
Schwarz Ulrich,
Grin Yuri
Publication year - 2021
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.202014284
Subject(s) - lutetium , chemistry , bildung , crystallography , humanities , organic chemistry , philosophy , yttrium , oxide
Das Monogermanid LuGe wurde durch Hochdruck‐Hochtemperatursynthese (5–15 GPa, 1023–1423 K) erhalten. Die Kristallstruktur wurde aus Einkristall‐Röntgenbeugungsdaten gelöst und verfeinert (Strukturtyp FeB, Raumgruppe Pnma , a =7.660 (2) Å, b =3.875 (1) Å und c =5.715 (2) Å, R F =0.036 für 206 symmetrie‐unabhängige Reflexe). Die Analyse der chemischen Bindung wurde mit Hilfe quantenchemischer Techniken im Ortsraum durchgeführt. Neben den erwarteten 2c‐Ge‐Ge‐Bindungen im Germaniumpolyanion wurde eine eher unerwartete vieratomige Wechselwirkung zwischen Lutetium‐Atomen gefunden, was auf die Bildung eines Polykations durch die überschüssigen Elektronen im System Lu 3+ (2b)Ge 2− ×1 e − hinweist. Trotz der reduzierten Valenzelektronen‐Konzentration von 3.5 folgt Lutetium‐Monogermanid der erweiterten 8‐N‐Regel durch die Bildung von Lutetium‐Lutetium‐Bindungen unter Verwendung der Elektronen, die nach der Bindungssättigung in der anionischen Ge‐Ge‐Zickzackkette übrigbleiben.