Premium
Stromlose Abscheidung von III‐V‐Halbleiternanostrukturen aus ionischen Flüssigkeiten bei Raumtemperatur
Author(s) -
Lahiri Abhishek,
Borisenko Natalia,
Olschewski Mark,
Gustus René,
Zahlbach Janine,
Endres Frank
Publication year - 2015
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.201504764
Subject(s) - chemistry , polymer chemistry
Halbleiternanostrukturen der Gruppe III–V sind wichtige Materialien für optoelektronische Anwendungen und werden im Energiesektor erforscht. Ein einfacher Ansatz für die Synthese dieser Halbleiter mit klar strukturierten Nanostrukturen wird angestrebt. Die stromlose Abscheidung ist eine schnelle und vielseitige Methode für die Abscheidung eines Materials auf einem anderen und wird durch das Redox‐Potential der zwei Materialien bestimmt. Hier zeigen wir, dass GaSb bei Raumtemperatur durch stromlose Abscheidung aus SbCl 3 /ionische Flüssigkeit (IL) auf elektrochemisch abgeschiedenem Ga, auf Ga‐Nanodrähten und auf kommerziell erhältlichem Ga direkt hergestellt werden kann. In‐situ‐AFM‐Messungen belegen die stromlose Abscheidung von Sb auf Ga und zeigen, dass der Prozess nach der Bildung von GaSb sogar weiter fortschreitet. Die Bandlücke des abgeschiedenen GaSb ist mit (0.9±0.1) eV vergleichbar mit der bekannten Bandlücke von 0.7 eV. Ferner beeinflusst der Wechsel des Kations der IL den Redoxprozess hinsichtlich verschiedener optischer Eigenschaften des GaSb.