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Critical Crystal Growth of Graphene on Dielectric Substrates at Low Temperature for Electronic Devices
Author(s) -
Wei Dacheng,
Lu Yunhao,
Han Cheng,
Niu Tianchao,
Chen Wei,
Wee Andrew Thye Shen
Publication year - 2013
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.201306086
Subject(s) - hexagonal crystal system , chemistry , materials science , crystallography , physics
An Ort und Stelle : Moderates Ätzen durch ein Wasserstoffplasma während der plasmaverstärkten chemischen Dampfabscheidung schafft einen Gleichgewichtszustand beim Kantenwachstum von Graphen, sodass hexagonale Graphen‐Einkristalle oder kontinuierliche Graphenfilme bei 400 °C ohne Katalysator auf dielektrischen Substraten erzeugt werden können (siehe Bild). Das resultierende Graphen ist von hoher Qualität und kann unter Vermeidung problematischer Transferprozesse direkt in Funktionssystemen verwendet werden.