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Das Wachstum von Nickelclustern an Graphen‐Fehlstellen: eine theoretische Studie
Author(s) -
Gao Wang,
Mueller Jonathan E.,
Anton Josef,
Jiang Qing,
Jacob Timo
Publication year - 2013
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.201305001
Subject(s) - cluster (spacecraft) , physics , chemistry , computer science , library science , operating system
Defekt mit Vorteilen : Nickelcluster auf verschiedenen Graphensubstraten wurde mit DFT‐Rechnungen untersucht. Es zeigt sich, dass Leerstellen die Morphologie der Ni‐Nanopartikel bestimmen und die katalytische Aktivität größerer Cluster (Ni n mit 5≤ n ≤10) erhöhen. Kleinere Cluster ( n <4) bieten durch eine effiziente Verbreiterung der Graphen‐Bandlücke eine Möglichkeit, die elektrischen Eigenschaften zu modulieren.