Premium
Das Wachstum von Nickelclustern an Graphen‐Fehlstellen: eine theoretische Studie
Author(s) -
Gao Wang,
Mueller Jonathan E.,
Anton Josef,
Jiang Qing,
Jacob Timo
Publication year - 2013
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.201305001
Subject(s) - cluster (spacecraft) , physics , chemistry , computer science , library science , operating system
Defekt mit Vorteilen : Nickelcluster auf verschiedenen Graphensubstraten wurde mit DFT‐Rechnungen untersucht. Es zeigt sich, dass Leerstellen die Morphologie der Ni‐Nanopartikel bestimmen und die katalytische Aktivität größerer Cluster (Ni n mit 5≤ n ≤10) erhöhen. Kleinere Cluster ( n <4) bieten durch eine effiziente Verbreiterung der Graphen‐Bandlücke eine Möglichkeit, die elektrischen Eigenschaften zu modulieren.
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom