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Insights into the Energy Levels of Semiconductor Nanocrystals by a Dopant Approach
Author(s) -
Zhang Zhuolei,
Li Dongze,
Xie Renguo,
Yang Wensheng
Publication year - 2013
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.201210080
Subject(s) - dopant , nanocrystal , service (business) , computer science , nanotechnology , materials science , world wide web , library science , physics , doping , optoelectronics , business , marketing
Die Energieniveaus von Halbleiter‐Nanokristallen (NCs) sind entscheidend beim Entwurf von Nanofunktionseinheiten aus derartigen Bausteinen. Nach einem nun entwickelten Ansatz können diese Energieniveaus durch Dotierung mit Übergangsmetallionen ermittelt werden. Dabei zeigten sich Abweichungen in Abhängigkeit von Zusammensetzung, Größe und Form der NCs. CB=Leitungsband, VB=Valenzband.
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