Aktivierungsenergien für die Diffusion von Defekten in Silicium: die Rolle des Austauschkorrelationsfunktionals

Mit DFT‐Rechnungen wurden die Aktivierungsenergien E a für die Diffusion von Defekten in Si (blau im Bild) ermittelt (von links nach rechts: Diffusion von O i 0 (rot)). Die mit vier Austauschkorrelationsfunktionalen E x c berechneten E a ‐Werte wurden mit experimentellen Daten verglichen. Die E a ‐Werte der „atomähnlichen“ Defekte auf Zwischengitterplätzen sind meist unabhängig von E xc  , im Unterschied zu stark gebundenen Verunreinigungen. Die besten Werte liefert das RPBE‐Funktional.