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Rücktitelbild: Understanding the Origin of the Low Performance of Chemically Grown Silicon Nanowires for Solar Energy Conversion (Angew. Chem. 10/2011)
Author(s) -
Yuan Guangbi,
Aruda Kenneth,
Zhou Sa,
Levine Andrew,
Xie Jin,
Wang Dunwei
Publication year - 2011
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.201100620
Subject(s) - materials science , silicon , nanowire , silicon nanowires , chemical engineering , nanotechnology , optoelectronics , engineering
Aus dem chemischen Wachstum resultierende Midgap‐Zustände von Silicium‐Nanodrähten sind der Hauptgrund für niedrige Solarenergieumwandlungseffizienzen. In ihrer Zuschrift auf S. 2382 ff. vergleichen D. Wang et al. sowohl durch stromloses Ätzen als auch durch chemisches Wachstum erhaltene Silicium‐Nanodrähte von gleicher Größe, gleichem Dotierungsniveau und gleicher Kristallinität anhand elektrochemischer Methoden.