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Understanding the Origin of the Low Performance of Chemically Grown Silicon Nanowires for Solar Energy Conversion
Author(s) -
Yuan Guangbi,
Aruda Kenneth,
Zhou Sa,
Levine Andrew,
Xie Jin,
Wang Dunwei
Publication year - 2011
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.201006617
Subject(s) - silicon , nanowire , materials science , nanotechnology , solar cell , chemistry , optoelectronics
Schwer auf Draht : Die elektrochemische Impedanzspektroskopie (ESI) zeigt, dass bei durch stromloses Ätzen erhaltenen vertikal ausgerichteten Si‐Nanodrähten hohe Energieumwandlungseffizienzen erhältlich sind (siehe Bild). Der Hauptgrund für die geringe Leistung chemisch gezogener Si‐Nanodrähte sind die aus dem chemischen Wachstum resultierenden Midgap‐Zustände der Drähte.