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High‐Performance Langmuir–Blodgett Monolayer Transistors with High Responsivity
Author(s) -
Cao Yang,
Wei Zhongming,
Liu Song,
Gan Lin,
Guo Xuefeng,
Xu Wei,
Steigerwald Michael L.,
Liu Zhongfan,
Zhu Daoben
Publication year - 2010
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.201001683
Subject(s) - langmuir–blodgett film , monolayer , materials science , optoelectronics , chemistry , nanotechnology
Molekulare Feldeffekttransistoren mit Ladungsträgermobilitäten wie Standardtransistoren (bis 0.04 cm 2  V −1  s −1 ), hohen An/Aus‐Stromverhältnissen (>10 6 ) und hoher Ansprechempfindlichkeit entstehen durch Kombination von Langmuir‐Blodgett‐Techniken mit Mikro/Nanofertigung aus einheitlichen selbstorganisierten Kupferphthalocyanin(CuPc)‐Halbleiter‐Monoschichten und einzelnen Graphenschichten als planare Kontakte.

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