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Understanding Ionic Vacancy Diffusion Growth of Cuprous Sulfide Nanowires
Author(s) -
Liu Xiaohua,
Mayer Matthew T.,
Wang Dunwei
Publication year - 2010
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.200906562
Subject(s) - ionic bonding , vacancy defect , diffusion , sulfide , materials science , crystallography , chemistry , nanotechnology , physics , metallurgy , ion , thermodynamics , organic chemistry
Gepflegter Dreitagebart : Das Wachstum von Cu 2 S‐Nanodrähten wird durch die Diffusion von Kupferionen‐Leerstellen gesteuert, und die Nanostrukturmorphologie hängt von der Defektdichte im Kupfersubstrat ab. Durch angepasste Schwefelgabe wurden einheitliche und ausgerichtete Cu 2 S‐Nanodrähte zugänglich (siehe Bild), die auf eine hocheffiziente Umwandlung von Sonnenenergie hoffen lassen.