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Innentitelbild: Surface Passivation and Transfer Doping of Silicon Nanowires (Angew. Chem. 52/2009)
Author(s) -
Guo ChunSheng,
Luo LinBao,
Yuan GuoDong,
Yang XiaoBao,
Zhang RuiQin,
Zhang WenJun,
Lee ShuitTong
Publication year - 2009
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.200906383
Subject(s) - passivation , adsorption , chemistry , doping , nanotechnology , silicon nanowires , materials science , nanowire , polymer chemistry , layer (electronics) , optoelectronics
Das große Oberfläche‐Volumen‐Verhältnis von Nanomaterialien könnte ein effizientes Dotieren durch Oberflächenpassivierung und Adsorption erleichtern. In der Zuschrift auf S. 10 080 ff. beschreiben R. Q. Zhang, S. T. Lee et al. die Oberflächenpassivierung und Transferdotierung in Siliciumnanodrähten (SiNWs, siehe Bild) durch Absättigung der Oberfläche mit Wasserstoffatomen und Adsorption von Ammoniakmolekülen – eine Alternative zum üblichen Volumendotieren, um die Leitfähigkeit von SiNWs oder anderen Nanomaterialien zu modulieren.