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Raumtemperaturwachstum von Siliciumoxid‐Nanofilmen: neue Chancen für die Plastikelektronik
Author(s) -
Hoffmann Helmuth
Publication year - 2009
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.200805329
Subject(s) - chemistry , materials science
Eine neue Generation von Plastiktransistoren aus leichten, flexiblen organischen Materialien erfordert neue Fabrikationsmethoden auf Basis lösungschemischer Prozesse bei niedrigen Temperaturen, kombiniert mit einer präzisen Kontrolle der Bauteilabmessungen im nm‐Bereich. Ultradünne SiO‐Filme als Gate‐Dielektrika in diesen Transistoren wurden durch einen schichtweisen Abscheidungs‐/Oxidationsprozess aus Filmen einer Polymervorstufe hergestellt.