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Temperature Antiquenching of the Luminescence from Capped CdSe Quantum Dots
Author(s) -
Wuister Sander F.,
van Houselt Arie,
de Mello Donegá Celso,
Vanmaekelbergh Daniël,
Meijerink Andries
Publication year - 2004
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.200353532
Subject(s) - quantum dot , luminescence , chemistry , materials science , physics , crystallography , nanotechnology , optoelectronics
Aktive Passivatoren : Der überraschende Wiederanstieg der Lumineszenzintensität von CdSe‐Quantenpunkten zwischen 200 und 300 K unterstreicht, wie wichtig die Wechselwirkung zwischen der Deckschicht und dem Nanokristall‐Halbleiter ist. Während die Lumineszenz bei 160 K nur schwach ist (links), leuchtet die Probe bei 300 K hell (rechts). Diese Ergebnisse belegen, dass die Deckschicht nicht nur die Oberfläche passiviert, sondern aktiv an ihrer Rekonstruktion beteiligt ist.