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Chemie der Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition): jüngste Entwicklungen
Author(s) -
Leskelä Markku,
Ritala Mikko
Publication year - 2003
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.200301652
Subject(s) - atomic layer deposition , nanotechnology , physics , materials science , layer (electronics) , chemistry
Neue Materialien, z. B. High‐k‐Dielektrika als Ersatz für SiO 2 , Cu als Ersatz für Al und Sperrschichtmaterialien für Cu, revolutionieren die Fertigung moderner integrierter Schaltungen. Entscheidend dabei ist, dass diese Materialien als sehr dünne Filme auf strukturierten Oberflächen abgeschieden werden müssen. Der selbstkontrollierende Wachstumsmechanismus bei der Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) erleichtert die Steuerung der Filmdicke auf atomarer Ebene und ermöglicht eine Abscheidung auf großen und komplexen Oberflächen. Diese Eigenschaften machen die ALD zu einem vielversprechenden Verfahren zur Fertigung von integrierten Schaltungen, optischen Bauelementen, magnetischen Schreibköpfen und mikroelektromechanischen Systemen. Eine Schlüsselrolle, insbesondere bei der Auswahl der geeigneten Materialvorstufen, spielt die Chemie.