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Stabilization of β‐SiB 3 from Liquid Ga: A Boron‐Rich Binary Semiconductor Resistant to High‐Temperature Air Oxidation
Author(s) -
Salvador James R.,
Bilc Daniel,
Mahanti S. D.,
Kanatzidis Mercouri G.
Publication year - 2003
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.200219986
Subject(s) - boron , chemistry , materials science , crystallography , physics , organic chemistry
Anders als die bislang bekannte α‐Modifikation von SiB 3 , deren Zusammensetzung hinsichtlich des Si/B‐Verhältnisses variabel ist und die eine Kristallstruktur mit unregelmäßiger Verteilung der Si‐Atome innerhalb der B 12 ‐Käfige aufweist, ist eine neue β‐SiB 3 ‐Modifikation (siehe Struktur) stöchiometrisch und kristallographisch geordnet. Ihre hohe Oxidationsbeständigkeit wird auf die vollständige Trennung der Si‐Ketten und B‐Schichten zurückgeführt.