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Phasenumwandlung und Phasenstabilität in epitaktisch gewachsenen β‐GaN‐Filmen
Author(s) -
Trampert Achim,
Brandt Oliver,
Ploog Klaus H.
Publication year - 1997
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.19971091922
Subject(s) - hexagonal crystal system , crystallography , chemistry , materials science , physics
Die Herstellung von phasenreinem GaN — grundlegend für die Anwendung in optoelektronischen Bauelementen — wird durch die Existenz zweier Polytypen (α‐GaN hexagonal, β‐GaN kubisch, metastabil) erschwert. Wichtig für die Phasentransformation von β‐ zu α‐GaN sind die Grenzflächenorientierung zwischen der kubischen Matrix und der polytypen hexagonalen Ausscheidung und der Einfluß der besonderen Natur der Grenzfläche auf die Stabilität dieses transformierten Polytyps.