Elementorganische Verbindungen mit AI‐AI‐, Ga‐Ga‐ und In‐In‐Bindung

Beim Versuch, analog einer Wurtz‐Kupplung durch Reduktion von Alkylaluminiumhalogeniden mit Alkalimetallen Verbindungen mit Al‐Al‐Bindung und Aluminium in einer niedrigen Oxidationsstufe zu synthetisieren, beobachtet man im allgemeinen die Abscheidung von elementarem Aluminium und die Bildung der entsprechenden Trialkylaluminium‐Verbindungen. Somit zählten tetrasubstituierte Dialuminium‐Verbindungen R 2 AlAlR 2 , sieht man von wenigen unzureichend charakterisierten Beispielen ab, lange Zeit zu einer nicht verifizierten Substanzklasse. Erst mit dem sterisch sehr hoch abgeschirmten Tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]dialuminium gelang die Synthese einer vollständig charakterisierten und unbegrenzt haltbaren elementorganischen Verbindung, die Aluminium in der Oxidationsstufe + II und eine Al‐Al‐Bindung aufweist. Entsprechende Verbindungen wurden inzwischen auch für die Elemente Gallium und Indium erhalten. Mit dem einfachen Zugang zu tetrasubstituierten Dimetall‐Verbindungen' eröffnet sich nun ein reizvolles neues Arbeitsgebiet für die präparative Chemie, wobei das besondere Interesse naturgemäß dem reaktiven Verhalten der Metall‐Metall‐Bindung gilt.