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Zur Bindung in Carbosilanen
Author(s) -
Savin Andreas,
Flad HeinzJürgen,
Flad Jürgen,
Preuß Heinzwerner,
von Schnering Hans Georg
Publication year - 1992
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.19921040211
Subject(s) - chemistry , physics
Keine direkte Si‐Si‐Bindung trotz des kurzen Abstands bei 1 , dafür aber eine schwache C‐C‐Bindung trotz des großen Abstands bei 2 , das sind die Ergebnisse einer Analyse der Elektronenlokalisierungsfunktionen von 1 und 2. Zur Erklärung für den kurzen Si‐Si‐Abstand in 1 wird auf die unterschiedliche Größe von C und Si zurückgegriffen.