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Tetrasilylmethan, C(SiH 3 ) 4 , das Si/C‐Inverse des Tetramethylsilans, Si(CH 3 ) 4
Author(s) -
Hager Rudolf,
Steigelmann Oliver,
Müller Gerhard,
Schmidbaur Hubert,
Robertson Heather E.,
Rankin David W. H.
Publication year - 1990
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.19901020217
Subject(s) - silicon , chemistry , crystallography , physics , organic chemistry
Für die plasmainduzierte Gasphasenabscheidung von amorphem Silicium und Siliciumcarbid , die für die Herstellung von Solarzellen und optoelektronischen Elementen erforderlich sind, braucht man bessere Vorläufer. Aussichtsreich sind Silylmethane, in denen das zentrale C‐Atom ausschließlich an Si‐Atome gebunden ist. Vor diesem Hintergrund wurde nun erstmals Tetrasilylmethan 4 synthetisiert, und zwar aus Phenylchlorsilan 1 über die Zwischenstufen 2 und 3 . Durch Si‐C‐Bindungsspaltung entsteht bei der letzten Stufe auch Trisilylmethan.