Niedermolekulare III/V‐Komplexe, ein möglicher neuer Weg zu Galliumarsenid und verwandten Halbleitern

Abstract Bis vor kurzem war die Produktion von Galliumarsenid, Indiumphosphid und verwandten Halbleitern eine Domäne der Materialwissenschaftler und Elektroingenieure. Durch geschickten Einsatz der klassischen Chemie, veranschaulicht an der thermischen Reaktion von Me 3 Ga und AsH 3 , ist es möglich, Halbleiter in kommerziellem Maßstab herzustellen. Es gibt jedoch einige Nachteile dieser Methoden, so die Umwelt‐ und Gesundheitsrisiken bei der Handhabung pyrophorer und giftiger Materialien, Probleme bei der Kontrolle der Stöchiometrie und unerwünschte Nebenreaktionen. Kann der anorganisch oder metallorganisch orientierte, präparativ arbeitende Chemiker auf diesem wichtigen Gebiet durch Konzeption und Entwicklung neuer Reagentien für die Produktion von Halbleitern eine nützliche Rolle spielen? Wir glauben, die Antwort lautet ja, und in dem vorliegenden Beitrag diskutieren wir einen neuen Weg zur Herstellung von dünnen GaAs‐ und InP‐Filmen, basierend auf III/V‐Komplexe als einziger Quelle. Diese Komplexe weisen starke Bindungen zwischen den Elementen der III. und V. Hauptgruppe des Periodensystems auf, und sie tragen Substituenten, die leicht thermisch eliminiert werden können. Die III/V‐Komplexe sind gegenüber Luft und Feuchtigkeit stabiler und erheblich weniger toxisch als Addukte oder Mischungen aus III‐ und V‐Verbindungen.