Carbosilane

Im Molekülgerüst von Carbosilanen sind die Elemente Silicium und Kohlenstoff alternierend angeordnet. Ersetzen wir im Diamantgitter das jeweils nächste C‐Atom durch ein Si‐Atom, so erhalten wir formal Siliciumcarbid (SiC), von dem aufgrund unterschiedlicher Stapelfolge mehrere Modifikationen existieren. Das SiC‐Gitter ist die Basis vieler Carbosilane. Nach ihren Strukturmerkmalen werden sie in Carborundane, Silascaphane und solche Spezies unterteilt, die kein Strukturelement des Siliciumcarbids mehr enthalten. In den Carborundanen sind die Si‐C‐Sechsringe in Sesselform und in den Silascaphanen in Wannenform angeordnet. Die dritte Gruppe enthält SiCSi‐Gerüste, die sich von Barrelan und Asteran ableiten. Bei allen Carbosilanen werden die Reaktionsmöglichkeiten primär durch die Substituenten an den Gerüst‐Atomen bestimmt. SiH‐ oder Si‐Halogen‐Gruppen bedingen eine erhebliche Reaktionsfähigkeit, während Derivate mit organischen Gruppen an den Si‐Atomen und CH 2 ‐ oder CH‐Gruppen im Gerüst reaktionsträger sind. Diese CH 2 ‐ bzw. CH‐Gruppen ermöglichen jedoch charakteristische Reaktionen. Aufgrund ihres Aufbaus und der vielfältigen Substitutionsmöglichkeiten finden die Carbosilane in neuerer Zeit auch erhebliches Interesse im Blick auf die Entwicklung spezieller keramischer Materialien.