Gasphasenabscheidung von Siliciumcarbid und Siliciumnitrid – Ein Beitrag der Chemie zur Entwicklung moderner Siliciumkeramik

Reines Siliciumcarbid und Siliciumnitrid haben in kompakter, porenfreier Form wertvolle Eigenschaften – nur war es bisher kaum möglich, sie technisch zu nutzen. Beide Verbindungen lassen sich nicht schmelzen oder in reiner Form sintern, beim Heißpressen oder drucklosen Sintern sind Zusatzstoffe erforderlich, und das Reaktionssinterverfahren, bei dem nur Si und C bzw. Si und N zugeführt werden müssen, ergibt poröses Material. – Das neuartige Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung könnte die Nachteile der bisherigen Verfahren teilweise aufheben. Bei dem neuen Verfahren wird SiC z. B. durch Pyrolyse von CH 3 SiCl 3 und Si 3 N 4 z. B. durch Reaktion von SiCl 4 mit NH 3 erzeugt. Man kann mit diesem Verfahren nachträglich die Poren in SiC‐ und Si 3 N 4 ‐Körpern füllen (Gasphasenimprägnierung), feinste SiC‐ und Si 3 N 4 ‐ Pulver gewinnen sowie SiC‐Monofilamente herstellen, die sich als Komponente für SiC‐ Verbundkörper eignen. Außerdem können durch Gasphasenimprägnierung Faser‐Verbundkörper erhalten werden.