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Methoden und Ergebnisse optischer Untersuchungen an Halbleitergrenzflächen
Author(s) -
Beckmann K. H.
Publication year - 1968
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/ange.19680800603
Subject(s) - chemistry
Die Messung des Polarisationszustandes von reflektiertem Licht (Ellipsometrie) erlaubt die Bestimmung von Dicke und Brechungsindex dünner Schichten, die sich auf einer Grenzfläche bilden. IR‐spektroskopisch lassen sich nach der Methode der inneren Reflexion (Internal Reflection Spectroscopy, IRS) die Absorptionsspektren solch dünner Schichten aufnehmen und so Aussagen über ihre chemische Zusammensetzung gewinnen. Mit diesen Meßverfahren wurden Adsorptionsprozesse und die Bildung von Reaktionsschichten an Halbleiter‐Grenzflächen untersucht. Ferner eignen sich die Verfahren für Messungen an freien Ladungsträgern in der Raumladungsrandschicht sowie in Oberflächenzuständen.