Ladungsträgerstreuung an polaren Grenzflächenphononen im 2‐dimensionalen Elektronengas einer Halbleitergrenzfläche: Anwendung auf die Inversionsschicht eines MOS‐FET

Die Ladungsträger des 2‐dimensionalen Elektronengases einer Halbleitergrenzfläche unterliegen einer zusätzlichen Streuung an polaren Grenzflächenphononen. Das Energiespektrum dieser Phononen und die Raten für die Streuung an ihnen werden in der vorliegenden Arbeit auf einer einheitlichen Grundlage – der Selbstenergie des mit dem Gitter polar wechselwirkenden Elektronengases – berechnet. Für die Inversionsschicht eines MOS‐FET erweist sich die Streuung an den polaren Grenzflächenphononen des SiO 2 Si‐Übergangs bei hinreichend hohen Ladungsträgerenergien bzw.‐konzentrationen als effektiver Konkurrenzprozeß zu den bisher in der Literatur ausschließlich diskutierten Streuprozessen. Die Ergebnisse werden mit experimentellen Beweglichkeiten für den n ‐Kanal eines MOS‐FET verglichen.