Lebensdauermessungen an Resonanzzuständen im 28 Si‐Compoundkern mittels Schatten‐Effekt

Unter Anwendung des Schatten‐Effektes und der Resonanzreaktion 27 Al( p , α) 24 Mg an einkristallinen, dicken Al‐Targets wurden für drei Resonanzenergien E p (keV) die Lebensdauern τ(as) der entsprechenden Anregungszustände E ★ (MeV) des Compoundkernes 28 Si gemessen und die zugehörigen Breiten γ(eV) berechnet:Als Target dienten 〈110〉‐orientierte Al‐Einkristalle. Die Registierung der α‐Teilchen erfolgte mit großflächigen Festkörperspurdetektoren. Aufgenommen wurden die Winkelverteilungen der α‐Teilchen um zwei 〈110〉‐Achsen des Al‐Targets, die zur Einschußrichtung der Protonen unter 75° bzw. −165° einjustiert waren. Zur Auswertung wurden die Differenzen der Minimumausbeuten Δ x min = x min (ϕ = 75°) ‐ x min (ϕ = −165°) und die Verhältnisse der Dip‐Volumina R = Ω E (ϕ = 75°)/Ω N (ϕ = −165°) (bis 70% der Randomausbeute) herangezogen.