Zur elektronischen Struktur ungeordneter eindimensionaler Systeme. III. Exakte Aussagen über ungeordnete Systeme – Kriterien für das Auftreten von Energiegaps

Es werden allgemeine Bedingungen für das Auftreten verbotener Gebiete (Gaps) im elektronischen Energiespektrum eindimensionaler Modelle (aus aneinandergesetzten Einzelpotentialen) für mehrkomponentige Legierungen sowie Flüssigkeiten mit Hilfe der Phasenmethode angegeben. Die Beschreibung der Streueigenschaften einer sehr allgemeinen Klasse von Einzelpotentialen erfolgte bereits in zwei vorangegangenen Arbeiten [1, 2]. Bei beliebigen Legierungen aus symmetrischen Potentialen tritt ein Gap auf, falls in den reinen Substanzen aller Komponenten in diesem Energiebereich Gaps mit gleichem Gapvorzeichen s̀ vorliegen. In Flüssigkeitsmodellen werden die Gaps bei posiitven Energien durch die maximalen und minimalen Abstände d zwischen den Potentialtöpfen bestimmt, bei negativen Energien in Abhängigkeit von s̀ durch den minimalen bzw. kritischen Abstand. Die Methode wird auch mit Erfolg auf Verunreinigungsniveaus angewandt. Die gewonnenen allgemeinen Aussagen unterscheiden sich z. T. qualitativ recht stark von den in der Literatur für spezielle Modelle angegebenen.