Spin‐Bahn‐Aufspaltung und chemische Bindung in A III B V ‐Halbleitern

Es wird eine einfache Wellenfunktion zur Beschreibung der chemischen Bindung in Halbleitern mit Zinkblendestruktur aufgestellt. Diese Wellenfunktion berücksichtigt die Hybridisierung an den Atomen im Kristall, die Überlappung der Atomfunktionen innerhalb einer Bindung und den teilweise ionaren Charakter der Bindung. Mit dieser Wellenfunktion gelingt es, die von Herman und Mitarb. empirisch gefundenen Gewichtsfaktoren zu erklären, mit denen atomare Spin‐Bahn‐Aufspaltungen versehen werden, um aus ihnen die Spin‐Bahn‐Aufspaltung des Halbleiters zu ermitteln. Aus bekannten Werten für den Anteil der ionaren Grenzstruktur in A III B V ‐Halbleitern werden unter Berücksichtigung von Überlappungsintegralen, die mit Slater‐Funktionen gebildet werden, die Werte des Ionizitätsparameters der Wellenfunktion berechnet. Es wird eine Formel zur Berechnung der effektiven Atomladung in A III B V ‐Halbleitern angegeben.