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Mischkristallbildung der festen Lösung In 2 Te 3−x Se x (0 ≦ x ≦ 3) (Halbleitereigenschaften von Telluriden. XIV)
Author(s) -
Myohl P.,
Ullner H. A.
Publication year - 1969
Publication title -
annalen der physik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 1.009
H-Index - 68
eISSN - 1521-3889
pISSN - 0003-3804
DOI - 10.1002/andp.19694780302
Subject(s) - physics , crystallography , chemistry
Bei der röntgenographischen Untersuchung des Systems In 2 Te 3−x Se x (0 ≦ x ≦ 3) konnte ein kubisches und ein hexagonales Einphasengebiet festgestellt werden. Zwischen 0 und ungefähr 40% In 2 Se 3 bilden sich feste Lösungen kubischer und zwischen ungefähr 75 und 100% In 2 Se 3 solche hexagonaler Struktur. Die Sättigungsgrenzen der dabei vorliegenden Mischkristalle sind temperaturabhängig, ebenso die jeweils existierende Modifikation der Ausgangselemente. Bezüglich der Struktur der Ausgangselemente konnten die Literaturangaben über das In 2 Te 3 bestätigt und die über das In 2 Se 3 korrigiert und ergänzt werden. Die im Gebiet zwischen kubischem und hexagonalem Strukturbereich gefundene vermutlich monokline Struktur konnte mittels der Thermoanalyse als eine bei 50% In 2 Se 3 sich peritektisch bildende Verbindung gedeutet werden, deren Struktur im Gebiet zwischen 40 und 60% In 2 Se 3 vorherrschend ist.