Mischkristallbildung der festen Lösung In 2 Te 3−x Se x (0 ≦ x ≦ 3) (Halbleitereigenschaften von Telluriden. XIV)

Bei der röntgenographischen Untersuchung des Systems In 2 Te 3−x Se x (0 ≦ x ≦ 3) konnte ein kubisches und ein hexagonales Einphasengebiet festgestellt werden. Zwischen 0 und ungefähr 40% In 2 Se 3 bilden sich feste Lösungen kubischer und zwischen ungefähr 75 und 100% In 2 Se 3 solche hexagonaler Struktur. Die Sättigungsgrenzen der dabei vorliegenden Mischkristalle sind temperaturabhängig, ebenso die jeweils existierende Modifikation der Ausgangselemente. Bezüglich der Struktur der Ausgangselemente konnten die Literaturangaben über das In 2 Te 3 bestätigt und die über das In 2 Se 3 korrigiert und ergänzt werden. Die im Gebiet zwischen kubischem und hexagonalem Strukturbereich gefundene vermutlich monokline Struktur konnte mittels der Thermoanalyse als eine bei 50% In 2 Se 3 sich peritektisch bildende Verbindung gedeutet werden, deren Struktur im Gebiet zwischen 40 und 60% In 2 Se 3 vorherrschend ist.