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Halbleitereigenschaften von Telluriden. XII. Grenzen der Mischkristallbildung in der festen Lösung Bi 2–x Sb x Te 3–y Se y
Author(s) -
Fienhold G.,
Strachauer H.,
Ullner H.A.
Publication year - 1968
Publication title -
annalen der physik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 1.009
H-Index - 68
eISSN - 1521-3889
pISSN - 0003-3804
DOI - 10.1002/andp.19684760709
Subject(s) - physics , crystallography , chemistry
Am System Bi 2–x Sb x Te 3–y Se y wurden die Grenzen der Mischkristallbildung bestimmt. Für die einphasigen Mischkristallgebiete der Teilsysteme Bi 2 Te 3–y Se y ‐ und Sb 2 Te 3–y S y wird der Gang der Gitterkonstanten angegeben.
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