Halleffekts‐ und Leitfähigkeitsmessungen an den Mischkristallen PbTe‐InTe (Halbleitereigenschaften von Telluriden, V)

Das Zustandsdiagramm des Pseudozweistoffsystems PbTe‐InTe wird angegeben. Es zeigt ein Eutektikum bei etwa 26 Mol‐% InTe und 640 °C. Leitfähigkeit und Hallkonstante wurden bei Temperaturen von −165…+350 °C gemessen. Stöchiometrisches PbTe und InTe sind p ‐leitend, Einkristalle mit einer Einwaage von 0,1 Gew.‐% InTe zeigen Kompensationsleitung, höhere Einwaagen sind n ‐leitend. Einkristalle sind bis 1 Gew.‐% InTe herstellbar, über Polykristalle bis 5% wird berichtet, dabei sind die Meßkurven 0,3…1% InTe Einwaage praktisch identisch, hier ist also die Löslichkeitsgrenze erreicht. Die elektrische Leitfähigkeit (zwischen 4 · 10 3 und 2 · 10 1 Ω −1 cm −1 ) sinkt mit steigender Temperatur. Bei den stöchiometrischen und mit 0,1% dotierten Kristallen biegen ab 570 °K bzw. 500 °K die Kurven in die Eigenleitung mit Δ E = 0,37 eV bzw. 0,32 eV ein. Die Hallkonstanten (zwischen 10 −1 und 10 1 cm 2 A −1 s −1 ) steigen mit steigender Temperatur leicht an. Bei höheren Temperaturen als 500…600 °K wechseln p ‐leitende Proben das Vorzeichen. Für stöchiometrische und schwach dotierte Proben wird eine Beweglichkeit ∼ T x e −γ T gefunden mit x von 0…2,5 und γ von 15,7…3,5 10 −3 grd −1 . Für stöchiometrisches PbTe wird die Wärmeleitung dargestellt und in Gitterleitung, Elektronenanteil und Leitung durch bipolare Diffusion aufgespaltet. Der thermoelektrische Gütefaktor wird hierfür errechnet.