Hall‐Effekt und Leitfähigkeit von Antimontellurid‐Einkristallen. (Halbleitereigenschaften von Telluriden. II)

Nach dem Bridgman‐Verfahren werden Sb 2 Te 3 ‐Einkristalle hergestellt und deren elektrische Leitfähigkeit und Hall‐Effekt zwischen +100 und −150°C senkrecht zur c ‐Achse gemessen. Einkristalle wurden nur bei einer Tellureinwaage von 60,62 bis 61,22 Gew.‐% Te erhalten. Die Hall‐Konstante ist bei tiefen Temperaturen konstant und steigt beim Einkristall plötzlicher, bei Zimmertemperatur beginnend, hingegen bei polykristallinem Material schon ab −100°C langsam an. Bei Zimmertemperatur und stöchiometrischer Zusammensetzung: σ = 4,2 · 10 3 Ohm −1 cm −1 , R = 9 · 10 −2 cm 3 A −1 s −1 , p = 8,3 · 10 19 cm −3 und σ · R = 380 cm 2 V −1 s −1 .