Sekundärelektronenemission von Caesium–Germanium‐Schichten verschiedener Zusammensetzung

Es werden Messungen der Ausbeute, der Temperaturabhängigkeit der Ausbeute sowie der Energieverteilung der Sekundärelektronen (S) an CsGe‐Schichten verschiedener Zusammensetzung durchgeführt. Die Schichten waren einerseits aus amorphen, andererseits aus kristallinen Ge‐Schichten hergestellt. Aus amorphen Ge‐Schichten bildet sich durch Einwirkung von Cs‐Dampf die Verbindung CsGe, während bei kristallinen Ge‐Schichten das Cs wahrscheinlich nur als Adsorptionsschicht vorliegt und das Grundgitter keine Änderung erfährt. CsGe‐Schichten beider Typen weisen hohe Ausbeutewerte auf. Es ergeben sich Anzeichen dafür, daß die hohen Ausbeuten wesentlich durch eine Erniedrigung der Potentialschwelle an der Oberfläche verursacht werden, während die Austrittstiefe der S durch die Cs‐Behandlung der Schichten unverändert bleibt.