Hall‐Effekt und Leitfähigkeit von Germanium‐Aufdampfschichten

Leitfähigkeits‐ und Hall‐Effektmessungen an dünnen bei 10 −5 Torr auf Glasträger bei 450 °C aufgedampften Ge‐Schichten zeigen unabhängig vom Ausgangsmaterial ausnahmslos p ‐Leitung mit einer Trägerdichte von 10 18 bis 10 19 cm −3 . Die Beweglichkeit der Defektelektronen ist um 1–2 Größenordnungen geringer als im einkristallinen Ausgangsmaterial. Der Hall‐Koeffizient nimmt im Gegensatz zu den Ergebnissen an kompaktem p ‐Material an dünnen Schichten mit der magnetischen Feldstärke zu.