Oberflächenleitfähigkeit unter Berücksichtigung der Streuung der Ladungsträger an der Oberfläche bei kleinen Bandverbiegungen

Für Halbleiter wird die Leitfähigkeit von Raumladungsrandschichten parallel zur Oberfläche unter Berücksichtigung der Streuung der Ladungsträger an der Oberfläche berechnet. Die Berechnungen wurden für kleine Bandverbiegungen, wie sie im Feldeffekt auftreten, durchgeführt. Die hierbei notwendige Integration der Poisson‐Gleichung lieferte ein Diagramm, aus dem sich in übersichtlicher Weise der Potentialverlauf in Raumladungsrandschichten bei beliebiger Größe der Bandverbiegung in und beliebiger Lage des Fermi‐Niveaus im Halbleiterinneren ergibt. Numerische Auswertungen wurden für Germanium durchgeführt.