Zum Einfluß von Temperatur und Sauerstoff auf das An‐ und Abklingen der Photoleitfähigkeit von CdS‐Einkristallen

An zehn CdS‐Einkristallen wurde das An‐ und Abklingen der Photoleitfähigkeit bei Belichtung mit Rechteckimpulsen in Abhängigkeit von der Temperatur zwischen 20°C und 350°C gemessen. Hierbei erfolgte die Messung 1. im Hochvakuum nach gründlichem Ausheizen des Kristalls bei 350°C, 2. unter 10 mm Hg Sauerstoffdruck nach vorhergehendem Tempern bei 350°C. Diese beiden Bedingungen entsprechen Zuständen des Kristalls, in denen der Störstellengehalt des Gitters sehr unterschiedlich ist. Die bereits in einer vorhergehenden Arbeit beschriebene Zweiteilung der Rekombination in einen mono‐ und einen bimolekularen Mechanismus bleibt bei allen Temperaturen unabhängig vom Störstellengehalt bestehen. Der monomolekulare Mechanismus erweist sich in starkem Maße von der Temperatur und vom Störstellengehalt abhängig, wogegen der bimolekulare Mechanismus von diesen Parametern sehr viel weniger abhängig ist. Es gelingt, mit Hilfe der beiden Rekombinationskoeffizienten die Abhängigkeit des stationären Photostroms von Temperatur, Bestrahlungsintensität und Sauerstoffeinwirkung formal befriedigend wiederzugeben.