Zur Entwicklung von Sekundär‐Elektronen‐Vervielfachern

Die Eigenschaften von SEV wurden besprochen und die Nachteile der bisherigen technischen Ausführungen kritisch behandelt. Es zeigt sich, daß man die Eigenschaften von Netzvervielfachern mit Sekundär‐Emissions‐Schichten aus Silber, Cäsium‐Oxyd‐Silber wesentlich verbessern kann, wenn man die einzelnen Kathoden hochisoliert ausführt. Für die Anwendung im Fernsehbetrieb und in der Kernforschung werden Vervielfacher mit elektronenoptischer Abbildung vorgeschlagen.