Zur Photoleitfähigkeit von Cadmiumsulfid‐Einkristallen bei tiefen Temperaturen

An synthetisch hergestellten CdS‐Einkristallen wurde der Photostrom (bei Anregung im Gebiet der Grundgitter‐ und Ausläuferabsorption), sowie Lage und Form des „selektiven Maximums” der Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Temperatur zwischen Zimmertemperatur und der Temperatur der flüssigen Luft gemessen. Mit der Annahme zweier sich in ihrer Temperaturabhängigkeit verschieden verhaltender Rekombinationsprozesse, eines strahlungslosen monomolekularen und eines strahlenden bimolekularen, wie sie im Rahmen des Riehl‐Schönschen Energiebändermodells zur Erklärung von Lumineszenzeigenschaften ähnlicher Kristallphosphore (ZnS, ZnCdS) früher vorgeschlagen worden sind, läßt sich, ohne weitere Rücksichtnahme auf die Funktion der in der verbotenen Zone liegenden Zwischenterme im einzelnen, der experimentelle Befund in mancher Hinsicht deuten.