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Application of physical analysis techniques for thin film and interface characterization in semiconductor industry
Author(s) -
Zschech Ehrenfried,
Langer Eckhard,
Engelmann HansJürgen,
Dittmar Kornelia,
Blum Werner
Publication year - 2001
Publication title -
vakuum in forschung und praxis
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 13
eISSN - 1522-2454
pISSN - 0947-076X
DOI - 10.1002/1522-2454(200101)13:1<29::aid-vipr29>3.0.co;2-6
Subject(s) - materials science , chemistry
Die Charakterisierung von dünnen Schichten und Grenzflächen ist in der Halbleiterindustrie notwendig, um hohe Ausbeuten und die geforderte Zuverlässigkeit der Bauelemente zu sichern. Anforderungen an die Dünnschicht‐ und Grenzflächenanalytik werden besprochen und typische Anwendungen in der Halbleiterindustrie aufgezeigt. Charakteristische Eigenschaften dünner Schichten, die mit physikalischen Analysemethoden ermittelt werden müssen, sind Schichtgeometrie, Oberflächen‐ und Grenzflächenrauhigkeit, chemische Zusammensetzung und Gefüge. Die fortschreitende Verkleinerung der typischen Strukturgrößen in mikroelektronischen Bauelementen und der Einsatz neuer Materialien und Prozesse erfordern fr künftige Technologieniveaus Entwicklungen auf dem Gebiet physikalischer Untersuchungsmethoden. Um die Zeit zur Lösung von Problemen im Fertigungsprozess zu reduzieren, werden Gerätesysteme, die bisher nur in out‐of‐fab‐Labors eingesetzt wurden, teilweise in sogenannte“at‐line”‐Labors verlagert werden, die nahe dem oder sogar im Reinraum gelegen sind.