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Advanced Barrier Systems for Copper Metallization in High Integrated Circuits
Author(s) -
Wenzel C.,
Engelmann H.J.
Publication year - 2001
Publication title -
vakuum in forschung und praxis
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.213
H-Index - 13
eISSN - 1522-2454
pISSN - 0947-076X
DOI - 10.1002/1522-2454(200101)13:1<20::aid-vipr20>3.0.co;2-n
Subject(s) - copper interconnect , die (integrated circuit) , materials science , engineering , electrical engineering , nanotechnology , dielectric
Die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit von mikroelektronischen Bauelementen wird wesentlich durch die Interconnect‐Technologie bestimmt. Intensive Entwicklungsarbeiten zur Kupferverdrahtungstechnologie wurden insbesondere bei Herstellern von Mikroprozessoren durchgeführt. Für die Zuverlässigkeit einer Kupfer‐Verdrahtung ist die Stabilität der Diffusionsbarriere entscheidend, die eine Diffusion von Kupfer in den Zwischenebenen‐Isolator und in aktive Transistorbereiche verhindern soll. Barriereschichtdicken von unter 20 nm, wie sie in der SIA Roadmap für die nächsten Technologien genannt werden, stellen eine große Herausforderung für den Barrierewerkstoff und die Herstellungstechnologie dar. Es werden Ta‐basierte Diffusionsbarrieren beschrieben und es wird ein Ausblick auf die künftige Forschungs‐ und Entwicklungsarbeit gegeben.