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Wirkungsweise von Lotwerkstoffen beim M‐Effekt
Author(s) -
Etschmaier A.,
Mori G.,
Wegscheider W.,
Wieser H.
Publication year - 2002
Publication title -
materialwissenschaft und werkstofftechnik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.285
H-Index - 38
eISSN - 1521-4052
pISSN - 0933-5137
DOI - 10.1002/1521-4052(200202)33:2<90::aid-mawe90>3.0.co;2-r
Subject(s) - tin , indium , materials science , ternary operation , bismuth , copper , metallurgy , chemistry , computer science , programming language
Das träge Abschaltverhalten von NH‐Sicherungen (M‐Effekt) wird durch einen Lotpunkt auf der Schmelzleiterplatine aus Kupfer sichergestellt. Es wurde zuerst die Wirkungsweise des derzeit verwendeten Lotes SnCd20 mittels Abschmelz‐, Abschalt‐ und Glühversuchen charakterisiert. Im Anschluss daran wurden die alternativen Lotsysteme Zinn‐Indium, Zinn‐Wismut, Zinn‐Wismut‐Kupfer und Zinn‐Indium‐Kupfer untersucht. Die Legierung SnBiCu15‐1 stellte sich dabei als einführbare Alternative zum toxischen Lot SnCd20 dar. Verhalten und Wirkungsweise der untersuchten Lote beim M‐Effekt werden beschrieben.