Premium
Materialprobleme der Basiskontakte von schnellen integrierten Si/SiGe‐Heterobipolartransistoren
Author(s) -
Hohaus J.,
Schreiber H.U.
Publication year - 2000
Publication title -
materialwissenschaft und werkstofftechnik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.285
H-Index - 38
eISSN - 1521-4052
pISSN - 0933-5137
DOI - 10.1002/1521-4052(200009)31:9<833::aid-mawe833>3.0.co;2-8
Subject(s) - silicide , heterojunction , materials science , bipolar junction transistor , optoelectronics , silicon , chemistry , electrical engineering , transistor , engineering , voltage
Die Kontaktierung der äußeren Basis an einem Si/SiGe‐Heterobipolartransistor ist bei einer flach implantierten äußeren Basis problematisch. Das zur niederohmigen Kontaktierung benötigte Silizid kann aufgrund von Rauigkeit Schottky‐Kontakte mit der Basis‐Kollektor‐Raumladungszone bilden. Als Lösung bietet sich ein Kobaltsilizid zur Kontaktierung an. Dazu muss der durch eine Reaktion mit einer Abdeckschicht stattfindende Kobaltverbrauch reduziert und die Rauigkeit des Kobaltsilizides durch die Wahl günstiger Prozessparameter verbessert werden.