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[{Li(thf) 3 } 2 Ga 2 {As(Si i Pr 3 )} 4 ]: eine Verbindung mit Gallium‐Arsen‐Doppelbindungen
Author(s) -
von Hänisch Carsten,
Hampe Oliver
Publication year - 2002
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/1521-3757(20020617)114:12<2198::aid-ange2198>3.0.co;2-h
Subject(s) - humanities , chemistry , philosophy
Eine planare Ga 2 As 4 ‐Einheit ist das zentrale Strukturmotiv der Titelverbindung (siehe Bild), die bei der Reaktion von GaCl 3 mit Li 2 AsSi i Pr 3 in THF/Heptan gebildet wird. Es handelt sich um die erste molekulare Verbindung mit Mehrfachbindungen zwischen den Elementen Gallium und Arsen.