Optically Tuning the Rate of Stoichiometry Changes: Surface‐Controlled Oxygen Incorporation into Oxides under UV Irradiation

UV‐Bestrahlung beschleunigt die Geschwindigkeit des Gas‐Einbaus und damit der Stöchiometrieänderung von Ionenkristallen mit großer Bandlücke. Dies ließ sich bisher nur durch Änderung der Temperatur, der Dotierstoffkonzentration oder mithilfe katalytisch aktiver Beschichtungen erreichen. Die Stöchiometrie hat wesentlichen Einfluss auf die elektrische Leitfähigkeit des Kristalls. Die Untersuchung dieses Effekts ermöglicht nicht nur wertvolle Erkenntnisse über den Mechanismus der Oberflächenreaktion, sondern eröffnet auch neue Anwendungsmöglichkeiten.