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Neue ternäre Germanide: Die Verbindungen Ln 4 Zn 5 Ge 6 ( Ln : Gd, Tm, Lu)
Author(s) -
Kranenberg C.,
Johrendt D.,
Mewis A.
Publication year - 2001
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/1521-3749(200103)627:3<539::aid-zaac539>3.0.co;2-n
Subject(s) - germanide , crystallography , chemistry , ternary operation , germanium , organic chemistry , silicon , computer science , programming language
Durch Erhitzen entsprechender Elementgemenge auf 750 °C wurden drei neue ternäre Germanide erhalten. Gd 4 Zn 5 Ge 6 (a = 4,249(3), b = 18,663(17), c = 15,423(6) Å), Tm 4 Zn 5 Ge 6 (a = 4,190(1), b = 18,410(5), c = 15,105(5) Å) und Lu 4 Zn 5 Ge 6 (a = 4,179(1), b = 18,368(4), c = 15,050(3) Å) sind isotyp und kristallisieren in einem neuen Strukturtyp (Cmc2 1 ; Z = 4). Dieser wird von ZnGe 4 ‐Tetraedern aufgebaut, die ecken‐ und kantenverknüpft ein dreidimensionales Gerüst bilden. In dessen Lücken befinden sich die Seltenerdmetallatome, die überwiegend oktaedrisch von Germanium bzw. pentagonal prismatisch von Zink und Germanium koordiniert werden. Die ZnGe 4 ‐Tetraeder sind so zueinander orientiert, dass jeweils zwei von sechs Ge‐Atomen zu Paaren verknüpft sind, während die übrigen keine homonuklearen Kontakte haben. Dies steht im Einklang mit einer ionischen Formelaufspaltung gemäß ( Ln 3+ ) 4 (Zn 2+ ) 5 (Ge 3– ) 2 (Ge 4– ) 4 . Zur Interpretation der Bindungsverhältnisse werden Abstandsbetrachtungen sowie LMTO‐Bandstrukturrechnungen herangezogen. Messungen des elektrischen Widerstands an Tm 4 Zn 5 Ge 6 bestätigten die von der elektronischen Bandstruktur her erwartete metallische Leitfähigkeit.