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Darstellung, Eigenschaften und Molekülstrukturen von Dimethylmetallalkoxiden und ‐amiden des Aluminiums und Galliums
Author(s) -
Hecht Elmar
Publication year - 2000
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/1521-3749(200007)626:7<1642::aid-zaac1642>3.0.co;2-b
Subject(s) - chemistry , medicinal chemistry , trimethylgallium , adduct , molecule , organic chemistry , metalorganic vapour phase epitaxy , epitaxy , layer (electronics)
Dimethylaluminium‐ ( 1 ) und Dimethylgallium‐ o ‐methoxyphenyl‐1‐ethoxid ( 2 ) wurden durch Umsetzung von Me 3 Al bzw. Me 3 Ga mit o ‐Methoxyphenyl‐1‐ethanol in n ‐Pentan erhalten, wogegen Dimethylaluminium‐ ( 3 ) und Dimethylgallium‐ o ‐methoxyphenyl‐2‐ethylamid ( 4 ) mittels Reaktion von Me 2 AlCl bzw. Me 2 GaCl mit Lithium‐ o ‐methoxyphenyl‐2‐ethylamid dargestellt wurden. Trimethylgallium‐ o ‐methoxyphenylmethylamin‐Addukt ( 5 ) bildet sich bei der Umsetzung von Me 3 Ga mit dem entsprechenden Amin. Die Verbindungen wurden durch 1 H‐, 13 C‐, 27 Al‐NMR‐Spektroskopie sowie 2 und 5 durch Kristallstrukturanalyse charakterisiert. 1 – 4 liegen als sauerstoff‐ bzw. stickstoffverbrückte dimere Moleküle vor. Die Bindungslängen im zentralen Ga 2 O 2 ‐Ring in 2 entsprechen denen anderer ähnlich aufgebauter Verbindungen.