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Nanostrukturierte dünne Schichten mit Giant Magnetoresistance (GMR) Effekt für Sensoranwendungen
Author(s) -
Alof C.,
Hahn H.
Publication year - 2000
Publication title -
materialwissenschaft und werkstofftechnik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.285
H-Index - 38
eISSN - 1521-4052
pISSN - 0933-5137
DOI - 10.1002/(sici)1521-4052(200005)31:5<365::aid-mawe365>3.0.co;2-o
Subject(s) - giant magnetoresistance , magnetoresistance , quantum tunnelling , materials science , giant magnetoimpedance , evaporation , condensed matter physics , physics , optoelectronics , magnetic field , quantum mechanics , thermodynamics
Die Grundlagen des Giant Magnetoresistance (GMR) Effekts in dünnen Schichten, die durch Verdampfen im Ultrahochvakuum oder durch Sputtern hergestellt werden, werden erläutert und die unterschiedlichen GMR‐Systeme vorgestellt. Die Anwendungen des GMR und verwandter Effekte wie TMR (Tunneling MR) liegen in der Sensorik sowie der Informations‐ und Speichertechnologie.