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Nachweis eines langlebigen protonierten Metallkations: Bildung von GeH 2+ durch Hochenergiestöße
Author(s) -
Jackson Phillip,
Diefenbach Martin,
Srinivas Ragampeta,
Schröder Detlef,
Schwarz Helmut
Publication year - 2000
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/(sici)1521-3757(20000417)112:8<1507::aid-ange1507>3.0.co;2-f
Subject(s) - chemistry
Eine minimale Lebensdauer von Mikrosekunden weist das Dikation GeH 2+ auf, das erstmals als Produkt von [Ge,H 2 ] + und O 2 in Charge‐Stripping‐Experimenten bei 8 kV detektiert werden konnte. Coupled‐Cluster‐Rechnungen zufolge sind die Dikationen XH 2+ (X=Si, Ge) metastabil gegenüber einer elektronischen Umlagerung und der Dissoziation zu X + und H + . Das Diagramm zeigt das GeH 2+ ‐Potential (—–) und den Verlauf der zugehörigen Coulomb‐Abstoßung (− – –).

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